サムスン電子、横浜に先端半導体の研究拠点　400億円超投資

Maki Shiraki

［東京　２１日　ロイター］ - 韓国サムスン電子は横浜市に先端半導体の研究開発拠点を新設し、２０２４年度に稼働を開始する。今後５年間の総投資額は約３５００億ウォン（約４００億円）超となる見通しで、経済産業省が最大２００億円を補助する。横浜市と経済産業省が２１日に発表した。

同社は横浜市西区にある「みなとみらい２１地区」の約２０００坪の面積に、チップを積層上に組み立てる「後工程」と呼ばれる半導体製造のパッケージング技術の研究開発拠点を構える。ＡＩ（人工知能）や高速通信規格「５Ｇ」向け半導体の製造技術を開発し、情報処理速度などの向上を目指す。

サムスンは日本の半導体素材・製造装置メーカーなどと連携して研究開発も進める考え。キョン・ゲヒョン最高経営責任者（ＣＥＯ）は横浜市の発表資料の中で、「横浜はパッケージ関連企業が多く、優秀な大学と人材もあるため、業界、大学、研究機関などと協力するのに適した場所の１つ」とコメントした。

先端半導体は工場や自動車など多様な用途への活用が見込まれておいる。経産省は、世界的に需要が高まっている先端半導体の研究開発を支援し、日本の半導体産業の競争力向上を図る。