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ロームが反発、GaNデバイスの性能を最大限引き出す超高速駆動制御IC技術を確立
配信日時:2023/03/03 11:21
配信元:MINKABU
ローム<6963.T>が反発している。この日、GaN(窒化ガリウム)デバイスなど高速スイッチングデバイスの性能を最大限引き出す超高速駆動制御IC技術を確立したと発表しており、好材料視されている。
電源ICで培った超高速パルス制御技術「Nano Pulse Control」を更に進化させ、制御パルス幅を従来の9ナノ秒から業界最高となる2ナノ秒まで大幅に向上することに成功したという。同技術を制御ICに搭載することで、GaNデバイスが持つ性能を最大限まで引き出す超高速駆動制御IC技術を確立。現在は同技術を用いた制御ICの製品化を進めており、23年後半に100V入力1ch DC-DCコントローラとしてサンプル出荷を開始する予定としている。
出所:MINKABU PRESS
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